– Ключевая технология, обеспечивающая высокую эффективность и миниатюризацию для центров обработки данных искусственного интеллекта, робототехники и других приложений
– Специализированная программа по выпуску MPW на основе GaN, запланированная на конец октября
– Распространение технологии BCD на сложные полупроводники, включая GaN и SiC
СЕУЛ, Южная Корея, 11 сентября 2025 г. /PRNewswire/ — Компания DBHiTek, одна из ведущих изготовителей 8-дюймовых полупроводниковых пластин, сегодня объявила о том, что она находится на заключительной стадии разработки своих полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур из нитрида галлия (GaN) с напряжением 650 В для работы в Е-режиме — силовых полупроводниковых пластин нового поколения. В конце октября компания также планирует запустить специальную программу по производству MPW (многопроектных пластин) на основе GaN.
По сравнению с традиционными силовыми модулями на базе кремния полупроводники на основе GaN демонстрируют превосходную производительность в условиях эксплуатации с высоким напряжением, высокими частотами и высокими температурами, обеспечивая исключительную энергоэффективность. Так, HEMT на основе GaN с напряжением 650 В в E-режиме отличаются высокой скоростью коммутации и эксплуатационной стабильностью, что делает их пригодными для использования в инфраструктуре зарядки электромобилей, системах преобразования энергии в гипермасштабируемых центрах обработки данных и передовом оборудовании для сетей 5G.
В 2022 году, когда рынок сложных полупроводников еще только формировался, компания DB HiTek обозначила GaN и SiC в качестве ключевых факторов роста и с тех пор вложила значительные средства в разработку технологических процессов. Представитель DB HiTek прокомментировал: «Компания DB HiTek уже признана во всем мире за лидерство в области силовых полупроводниковых технологий на основе кремния, включая разработку первой в отрасли схемы BCDMOS с длиной канала 0,18 мкм. Добавляя к этому возможности, предоставляемые GaN, мы рассчитываем повысить конкурентоспособность компании за счет широкого ассортимента технологий».
После завершения работы над HEMT на основе GaN с напряжением 650 В компания DB HiTek планирует к концу 2026 года запустить производство GaN на 200 В и GaN на 650 В с оптимизацией для включения в интегральные схемы (ИС). В перспективе компания намерена адаптировать свою платформу GaN для более широкого диапазона напряжений в соответствии с потребностями рынка и запросами клиентов.
Для поддержки этих инициатив DB HiTek расширяет площади под чистое производство на заводе Fab2 в провинции Чхунчхон-Пукто (Chungcheongbuk-do), Южная Корея. Ожидается, что это расширение позволит увеличить производительность и довести ее до прибл. 35.000 единиц 8-дюймовых пластин в месяц как базу для технологий на основе GaN, BCDMOS и SiC. По окончании расширения общий ежемесячный объем производства пластин DB HiTek увеличится на 23% — со 154.000 до 190.000 единиц.
Тем временем DB HiTek примет участие в ICSCRM 2025 (Международной конференции по карбиду кремния и родственным материалам), которая пройдет с 15 по 18 сентября в международном выставочном конференц-центре BEXCO в Пусане (Busan). На этом глобальном отраслевом форуме компания DB HiTek продемонстрирует достижения в области разработки SiC-технологий, а также технологий GaN и BCDMOS, напрямую взаимодействуя с клиентами и лидерами отрасли.
Логотип — https://mma.prnewswire.com/media/2656225/image_5026888_21003402_Logo.jpg
